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广晟集团控股上市公司国星光电推出新能源领域用KS系列SiC MOSFET

11月2日,广晟集团控股上市公司国星光电乘势推出以TO-247-4L为封装形式的NSiC-KS系列产品,可应用于移动储能、光伏逆变、新能源汽车充电桩等场景。

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随着工业4.0时代及新能源汽车的快速普及,工业电源、高压充电器对功率器件开关损耗、功率密度等性能的要求也不断提高。国星光电凭借领先的封装技术优势,通过科学系统的设计,采用带辅助源极管脚(亦可称为开尔文源极脚,Kelvin-Source,简称:KS)的TO-247-4L,作为NSiC-KS系列产品的封装形式,应用于具有耐压高、导通电阻低、开通损耗小等优异特点的新型高频器件SiC MOSFET上,取得分立器件在开关损耗、驱动设计等方面的新突破。

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如图所示,NSiC-KS系列产品的封装形式上增加了一个S极管脚,其可称为辅助源极或者开尔文源极脚KS(Kelvin-Source)。

基于开尔文源极脚(KS)的存在,采用NSiC-KS封装的SiC MOSFET,避免了驱动回路和功率回路的共用源极线路,实现了这两个回路的解耦,使得NSiC-KS封装的SiC MOSFET开关损耗、开通损耗均明显降低,开关频率更快,寄生电感与误开启风险更低。

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经过实测对比,NSiC-KS封装(TO-247-4L封装)较之TO-247-3L封装,开通损耗可明显降低约55%。

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经过实测对比,NSiC-KS封装(TO-247-4L封装)较之TO-247-3L封装,开关损耗降低约35%。

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NSiC-KS封装(TO-247-4L封装)有助于提高SiC MOSFET开关速度。

为满足市场需求,国星光电NSiC-KS SiC MOSFET产品推出了多款型号,同时提供高性能、高可靠性、高品质的产品技术解决方案。

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撰稿:成年斌、翁雯静

编辑:刘 韵

编审:潘百安